EUVフォトレジスト市場：先端ロジック・AI半導体向け2026～2032年展望
NEWEUVフォトレジストの定義と市場成長
EUVフォトレジストは、13.5nmの極端紫外線を用いるEUVリソグラフィー向けの感光材料であり、先端ロジックや高性能メモリの微細化を支える基幹材料です。高い感度、低ライン幅粗さ（LWR）、解像性、エッチング耐性を同時に実現する必要があり、樹脂、感光成分、添加剤の分子設計から塗布、露光、現像まで高度なプロセス制御が求められます。QYResearchの調査では、EUVフォトレジスト市場は2025～2031年にCAGR23.4%で成長し、2031年には7.89億米ドルに達すると予測されています。
High-NA EUVが材料開発を加速
2026年はEUVリソグラフィーの量産適用が次の段階へ移行しています。ASMLによると、0.55 NAのHigh-NA EUVは8nmの解像性能を持ち、2nm世代以降のロジックや次世代メモリへの展開が想定されています。2026年7月にはIntel FoundryがHigh-NA EUVを用いたIntel 18A製品の一部を量産していることが公表されました。
この進展に伴い、EUVフォトレジストには従来以上の解像性、感度、確率的欠陥の抑制、LER/LWR制御が要求されます。特にHigh-NAでは露光条件と材料特性の相互作用が複雑になるため、レジスト単体ではなく、マスク、現像液、下層膜、エッチング工程を含む統合的な材料設計が重要になります。
AI半導体需要とEUV材料サプライチェーン
AIサーバーや高性能コンピューティング向け半導体の需要拡大は、先端ロジック・メモリ双方のEUV工程への投資を支えています。ASMLは2026年上期、AI関連投資を背景に先端Logic・Memory向け需要が強まり、EUV装置の受注も堅調に推移していると報告しています。
材料側では、2026年5月にJSR/InpriaとEntegrisがEUV向けメタルオキサイドレジスト（MOR）に関する非独占的クロスライセンス契約を締結しました。レジスト設計、前駆体、高純度ろ過・供給技術を組み合わせる動きは、EUVフォトレジスト市場が単純な材料販売から、量産安定性を含む技術エコシステムへ移行していることを示します。
2026～2032年の市場展望
今後の競争軸は、微細化対応と量産歩留まりの両立です。High-NA EUVでは露光線量、感度、解像性、LWR、アウトガス、欠陥密度を総合的に管理する必要があります。さらに、材料純度やロット間再現性、サプライチェーンの安定性、知的財産管理も採用判断に影響します。ASMLは2026年、High-NA EUVの量産対応を進めるとともに、TSMCなどと12インチフォトマスクへの移行構想を進めています。TSMCは2030年から先端ノードでHigh-NA EUVの量産利用を開始する計画を示しています。
EUVフォトレジスト市場は、AI半導体、先端ロジック、高性能DRAMの微細化投資と連動して拡大する構造です。今後は化学増幅型レジストに加え、MORなど新材料の実用化、材料・装置・プロセスの共同開発が進み、供給安定性と量産歩留まりを両立できる技術基盤が市場形成の重要な要素となります。
レポートの主要ポイント
「EUVフォトレジスト―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」では、市場規模、売上高、需要動向、競争環境、主要企業、地域別市場、製品・用途別セグメント、サプライチェーンを体系的に分析しています。
【目次】
第1章：市場概要、規模、売上、価格、成長要因、機会、課題、リスク
第2章：主要企業の売上、市場シェア、製品、研究開発、競争戦略
第3章：製品タイプ別の市場規模、販売量、価格、需要動向
第4章：用途別市場規模、売上、市場シェア、需要構造
第5章：北米、欧州、アジア太平洋など地域別市場分析
第6章：主要国別の市場規模、需要動向、競争環境
第7章：主要企業の事業概要、製品ポートフォリオ、技術動向
第8章：原材料、材料製造、流通、半導体製造までのサプライチェーン分析
第9章：市場洞察と今後の展望
第10章：調査方法・データソース
QYResearchについて
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