SiC結晶成長用グラファイトコンポーネントの市場動向と大口径化
NEW炭化ケイ素（SiC）は、高耐圧・高温・高周波動作に適したワイドバンドギャップ半導体材料であり、EV、再生可能エネルギー、産業用電源、通信、AIインフラなどへの応用が拡大しています。そのSiC単結晶を製造するPVT（物理気相輸送）法では、坩堝、種結晶ホルダー、ヒーター、断熱材、ガイド部品などのグラファイトコンポーネントが高温熱場を形成します。2026年以降は結晶の大口径化と低欠陥化が進み、単なる耐熱部材ではなく、結晶品質と歩留まりを左右するプロセス部品として重要性が高まっています。
市場規模とSiC需要
2026年の関連調査では、世界のSiC結晶成長炉用グラファイトコンポーネント市場は2025年の3.98億米ドルを基準に、今後も二桁成長が見込まれています。別の2026年調査では2025年1.92億米ドル、2032年3.68億米ドル、CAGR10.2％とされており、調査範囲によって市場規模には差があります。共通する成長要因は、SiCウェーハの需要拡大と結晶成長炉の大型化です。
PVT法と高純度グラファイト
SiC単結晶成長では2,400℃を超える高温環境が形成されるため、グラファイトには高純度、耐熱性、熱伝導性、熱衝撃耐性が求められます。特に熱場の均一性は結晶成長速度や欠陥密度に影響するため、坩堝形状、断熱構造、ヒーター配置を炉体と一体で最適化する必要があります。SGL CarbonもPVTによるSiC成長向けに、坩堝、ヒーター、熱シールド、断熱材などを供給し、材料選択から熱・ガス流解析まで対応しています。
大口径化が新たな技術課題
2026年1月、Wolfspeedは300mm（12インチ）SiC単結晶ウェーハの製造を発表しました。大口径化は将来的な生産性向上につながる一方、熱応力、温度勾配、部材変形、加工精度などの管理難度を高めます。したがって、グラファイトコンポーネントにも高密度・低気孔率・高純度化に加え、炉型に合わせた熱場設計と寸法安定性が要求されます。
SiCコーティングと長寿命化
グラファイト部品の寿命延長では、表面改質やSiCコーティングも重要です。SGL CarbonはSiCコーティングについて、部品寿命を延ばし、半導体材料処理に必要な高純度表面を形成すると説明しています。今後は部材価格だけでなく、交換周期、炉の稼働率、結晶歩留まりを含む総保有コストで評価される傾向が強まると考えられます。
競争環境と今後の焦点
主要企業にはTOYO TANSO、SGL Carbon、Mersen、Tokai Carbon、Inner Mongolia JH Special Carbon Technology、Hangzhou Vulcan、Chengdu Artech、Shandong Weiji Carbon-tech、Northern Yiheng、SIAMCなどがあります。競争力を左右するのは、材料純度、精密加工、熱場シミュレーション、コーティング、品質トレーサビリティを一体化できる技術力です。2026年にはAI・HPC向けSiC技術の大型化も進んでおり、グラファイト部品市場は半導体装置の高度化と連動して用途を広げています。
QYResearch会社概要
QYResearch（QYリサーチ）は、高品質の市場調査レポートとコンサルティングサービスを提供する市場調査・コンサルティング専門会社です。2007年に米国カリフォルニア州で設立され、2026年時点で19年の市場調査経験を有しています。米国、日本、韓国、中国、ドイツ、インド、スイスなどに拠点を展開し、半導体、電子部品、先端材料、自動車、通信、エネルギーなど幅広い産業を対象に、市場規模、競争環境、技術動向、産業構造、サプライチェーンを分析しています。
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